六偏磷酸納是一種常用的化工產品，其工業生產方法很多，但最常用的事磷酸二氫鈉法。該方法系使用磷酸和純堿按一定配方進行液相中和制得磷酸二氫鈉溶液，該溶液經蒸發、脫水、熔聚、驟冷、粉碎后得到成品六偏磷酸鈉。六偏磷酸鈉熔點為625℃，工藝要求熔聚反應溫度為750~850℃。在該工藝過程中，關鍵設備即是六偏磷酸鈉聚合爐，按入爐原料的不同，又分為一步法和兩步法，其中一步法的入爐原料為磷酸二氫鈉溶液，其蒸發、脫水、熔聚過程均在爐內不同的區域內進行；兩步法系預先將磷酸二氫鈉溶液進行蒸發、脫水為無水磷酸二氫鈉后再入爐進行熔聚工序。一步法和兩步法使用的聚合爐相同的是熔聚工序均在爐內進行，區別則在于前者還包括了蒸發、脫水工序，而后者不包括。

六偏磷酸納聚合爐為長方形池爐，爐壁外部采用一般耐火磚層，最里為碳化硅磚層或價格高昂的氧化鋯磚層，即使這樣，爐內熔聚段≥625℃的高溫熔融六偏磷酸納仍會對熔融料液面波動范圍內的爐壁內襯造成較嚴重的腐蝕，被腐蝕的爐壁內襯材料進入產品后，會導致水不溶物及雜質含量指標升高，從而降低產品質量。實際生產中，決定聚合爐能否長時間運行的一個主要技術問題就是爐壁內襯的碳化硅磚層是否已被腐蝕，如已被腐蝕則必須立即停爐進行大修、更換，否則會因穿爐而釀成安全事故，且每次大修必須經過冷爐、扒爐、修理、烘爐等步驟，不僅耗時長、費用鋯，而且還影響生產效率，增加生產成本。目前，正常的六偏磷酸鈉聚合爐的爐壁內襯腐蝕周期大多為8個月，而在不利工藝條件下的爐壁內襯腐蝕周期僅為數月。

經過對殘余碳化硅磚的分析，總結出爐內碳化硅磚的損壞機理是由多方面原因造成，在惡劣的熔融工況下需要經受住五方面的破壞沖擊①水分及水蒸氣的浸潤②氧化氣氛下的熱還原③磷酸二氫鈉水溶液的堿性侵蝕④溫度變化的熱震損壞⑤碳化硅磚面的渣層侵蝕。雖然碳化硅磚的氧化產物，SiO2保護膜，可以組織氧化的進一步發生但事約在750℃~1000℃SiO2膜會因相變而產生體積變化，從而使其結構變得疏松，氧化保護作用驟減；另外在一定條件下，SiO2保護膜還無法形成。這都會導致碳化硅磚的使用性能降低，影響它的使用壽命。

為克服現有磷酸二氫鈉法生產六偏磷酸鈉存在的聚合爐爐壁內襯易被腐蝕的問題，現推薦兩種方法一種是從產品上改進采用抗氧化的氮化硅磚，第二種是在與熔融料液面相接觸的爐體外壁設置冷卻壁，壁上設有連通的進、出口管道，在冷卻管道內輸入冷卻水讓爐外壁溫度降低到60℃左右，與爐內高溫形成溫度階差，使與爐內碳化硅磚的受熱溫度下降然后再與接觸的六偏磷酸鈉保溫在熔點溫度以下，即可產生掛壁渣殼保護層。這樣既可以延長爐內碳化硅磚的使用壽命，又可提高工作效率。